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中微公司等離子體刻蝕設備反應總臺數(shù)全球累計出貨超過5000臺

來源:投影時代 更新日期:2025-03-13 作者:佚名

    2025年3月12日,中微半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”)宣布其等離子體刻蝕設備反應總臺數(shù)全球累計出貨超過5000臺。這包括CCP高能等離子體刻蝕機和ICP低能等離子體刻蝕機、單反應臺反應器和雙反應臺反應器共四種構型的設備。等離子體刻蝕機,是光刻機之外,最關鍵的、也是市場最大的微觀加工設備。由于微觀器件越做越小和光刻機的波長限制,也由于微觀器件從二維到三維發(fā)展,刻蝕機是半導體設備過去十年增長最快的市場。這一重要里程碑標志著中微公司在等離子體刻蝕設備領域持續(xù)得到客戶與市場的廣泛認可,也彰顯了公司在等離子體刻蝕領域已進入國際前列。

    中微公司刻蝕設備

    中微公司不斷拓展等離子體刻蝕設備產品線,以滿足先進的芯片器件制造日益嚴苛的技術需求,早在2004年,首創(chuàng)了“甚高頻去耦合反應離子刻蝕的技術(D-RIE, Decoupled Reactive Ion Etching)。中微公司也獨創(chuàng)了有專利保護的雙反應臺刻蝕反應器,既可以單臺獨立操作,也可以雙臺同時操作的、輸出量高、加工成本低的獨特機型。中微公司的刻蝕設備在過去的20年積累了大量的芯片生產線量產數(shù)據(jù)和客戶驗證數(shù)據(jù),已經可以覆蓋絕大多數(shù)的刻蝕應用,包括各種高端的應用。特別是CCP和ICP的雙臺機,反復論證了雙反應臺之間刻蝕的線寬差別,1Sigma已達到0.5納米以下,刻蝕速度已可以精準到0.1到0.2納米水平,相當于頭發(fā)絲直徑約三十萬分之一。中微公司的刻蝕機已在5納米及更先進的微觀器件生產線上大量應用。

    中微公司的等離子體刻蝕設備不斷擴大市場占有率,公司的CCP高能等離子刻蝕設備和ICP低能等離子體刻蝕設備的出貨量近年來都保持高速增長。CCP設備在線累計裝機量近四年年均增長大于37%,已突破4000個反應臺;ICP設備在線累計裝機量近四年年均增長大于100%,已突破1000個反應臺。截至2025年2月底,公司累計已有超過5400個反應臺在國內外130多條生產線,全面實現(xiàn)了量產和大規(guī)模重復性銷售,贏得了眾多客戶和供應廠商的信任和支持。

    據(jù)業(yè)績快報顯示,中微公司2024年營業(yè)收入約90.65億元,較2023年增加約28.02億元。公司在過去13年保持營業(yè)收入年均增長大于35%,近四年營業(yè)收入年均增長大于40%的基礎上,2024年營業(yè)收入又同比增長約44.73%。其中,刻蝕設備收入約72.77億元,在最近四年收入年均增長超過50%的基礎上,2024年又同比增長約54.73%。

    根據(jù)市場及客戶需求,公司顯著加大研發(fā)力度,2024年在研項目涵蓋六類設備,超二十款新設備的開發(fā)。公司開發(fā)的一系列設備已在性能上達到國際先進水平,部分產品在其細分領域全球領先。公司為先進存儲器件和邏輯器件開發(fā)的六種LPCVD薄膜設備已經順利進入市場。其中,在進入市場后只一年,存儲器生產線所用的LPCVD設備出貨量已突破100多個反應臺,2024年得到約4.76億元批量訂單。公司研發(fā)新產品的速度顯著加快,過去通常需要三到五年開發(fā)一款新設備,現(xiàn)在只需兩年或更短時間就能開發(fā)出有競爭力的新設備,并順利進入市場。中微公司綜合競爭優(yōu)勢不斷增強,聚焦提高勞動生產率,在2022年達到人均銷售350萬元的基礎上,2024年人均銷售超過了400萬元,各項營運指標已達到國際先進半導體設備企業(yè)水平。

    未來,中微公司將緊跟先進制程工藝發(fā)展的最前沿,繼續(xù)加大研發(fā)投入,在產品設計、開發(fā)和制造過程中,始終強調技術的創(chuàng)新、產品的差異化和知識產權的保護,不斷開發(fā)更多的高端設備產品,堅持三維立體發(fā)展戰(zhàn)略,通過有機成長和外延擴展,踐行科創(chuàng)企業(yè)的“五個十大”,即“產品開發(fā)十大原則”,“戰(zhàn)略銷售十大準則”,“營運管理十大章法”,“精神文化十大作風”,“領導能力十大要點”,實現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康和安全的高質量發(fā)展,盡早在規(guī)模和競爭力上成為國際一流的半導體設備公司!

中微公司發(fā)展壯大的“五個十大”

    關于中微半導體設備(上海)股份有限公司

    中微半導體設備(上海)股份有限公司(證券簡稱:中微公司,證券代碼:688012)致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領先的加工設備和工藝技術解決方案。中微公司開發(fā)的CCP高能等離子體和ICP低能等離子體刻蝕兩大類,包括十幾種細分刻蝕設備已可以覆蓋大多數(shù)刻蝕的應用。中微公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國內和國際一線客戶,從65納米到5納米及更先進工藝的眾多刻蝕應用。中微公司最近十年著重開發(fā)多種導體和半導體化學薄膜設備,如MOCVD,LPCVD,ALD和EPI設備,并取得了可喜的進步。中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產的MOCVD設備早已在客戶生產線上投入量產,并在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據(jù)領先地位。此外,中微公司也在布局光學和電子束量檢測設備,并開發(fā)多種泛半導體微觀加工設備。這些設備都是制造各種微觀器件的關鍵設備,可加工和檢測微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產業(yè)的基礎,它們正在改變人類的生產方式和生活方式。在美國TechInsights(原VLSI Research)近五年的全球半導體設備客戶滿意度調查中,中微公司三次獲得總評分第三,薄膜設備三次被評為第一。

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