微米級發光二極管（Micro LED）作為下一代顯示技術正在不斷發展，然而，傳統無機III-V半導體LED小型化到微尺度（≤50µm）的過程中，面臨著綠色和紅色LED輻射效率急劇下降、傳質困難、紅綠藍（RGB）像素驅動電壓失配等技術和性能方面的挑戰，嚴重影響了其商業化進程。為了解決這些問題，采用納米級尺寸、高效率、窄帶發射、高色純度的紅、綠量子點（QDs）作為顏色轉換材料，與藍色微型LED結合，實現了全彩微型LED顯示。該方法有望簡化傳質，易于驅動電路，成本低。

    然而，由于量子點在藍色區域的消光系數低，量子點的光提取效率（LEE）較差，導致量子點轉換的微型LED藍光泄漏嚴重，發光效率低，因此量子點顏色轉換層（CCL）的性能仍然較低。最近，通過將量子點嵌入到納米多孔GaN中，并在器件中添加濾色器（CF）或分布式布拉格反射器（DBR）來吸收或反射量子點無法吸收的殘留藍光，可以有效地抑制藍光泄漏。然而，這些方法不可避免地會增加功耗，降低視角，并增加微型LED顯示屏的表面溫度。此外，對于傳統的QD顯示器，QD CCL被夾在兩個厚度高達260微米的水氧阻隔層之間，以提高顯示器的可靠性這種策略不適合微型LED，因為長寬比會顯著增加，這使得小像素（<50µm）的圖案難以形成。雖然可以通過涂覆二氧化硅殼、氧化鋁殼或硅氧烷配體來制備更薄、更穩定的量子點像素，而無需使用水-氧屏障層，從而提高量子點的PL穩定性，但由于硅烷水解、表面配體修飾或原子層沉積（ALD）對量子點表面的破壞和較低的藍色吸收率，從而大大降低了量子點的顏色轉換性能，增加了非輻射復合。

    因此，構建同時具有優異色彩轉換效率和優異PL穩定性的量子點材料是實現高可靠性全彩微型LED的關鍵。 

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