產(chǎn)品介紹

    MicroLED晶圓級(jí)PL巨量檢測(cè)設(shè)備

    該設(shè)備應(yīng)用于 Micro LED 芯片的晶圓級(jí)巨量檢測(cè)過(guò)程中，對(duì)Micro LED晶圓進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)芯片發(fā)光性能進(jìn)行監(jiān)控，提高良率，對(duì)分BIN工藝提供分選依據(jù)。隨著 LED 晶粒尺寸的縮小，每片晶圓上的晶粒數(shù)量會(huì)達(dá)到數(shù)百萬(wàn)或千萬(wàn)顆以上，需對(duì)每顆 LED 晶粒進(jìn)行光學(xué)性能檢測(cè)。我們采用顯微光致發(fā)光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗場(chǎng)成像，實(shí)現(xiàn)透明樣品的無(wú)接觸、非破壞性和超快速的缺陷/亞表面缺陷檢出，從而大幅提高生產(chǎn)效率和良率，降低生產(chǎn)成本，加速產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

    1.采用高效高精度的巨量目標(biāo)光譜采集技術(shù)。通過(guò)高空間分辨的光強(qiáng)光譜采集方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)巨量目標(biāo)的同步檢測(cè)，同時(shí)采集光強(qiáng)和光譜信號(hào)，提高檢測(cè)效率。

    2. 采用Micro-LED光致發(fā)光區(qū)域均勻激發(fā)技術(shù)。采用特殊的光學(xué)照明系統(tǒng)避免激發(fā)光差異性帶來(lái)的發(fā)光異常，實(shí)現(xiàn)均勻光源激發(fā)下光致發(fā)光強(qiáng)度一致性檢測(cè)。

    3. 采用缺陷Micro-LED光致發(fā)光特性大數(shù)據(jù)模型。分析其發(fā)光光強(qiáng)光譜類(lèi)型，建立異常芯片數(shù)據(jù)庫(kù)，研究基于光譜參數(shù)層面的Micro-LED缺陷與異常診斷方法，確定空間、光強(qiáng)、光譜參數(shù)，實(shí)現(xiàn)高效精準(zhǔn)的異常判斷，滿足Micro LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的檢測(cè)需求。

    應(yīng)用領(lǐng)域

    COW/COC1/COC2 的MicroLED Wafe的缺陷檢測(cè)；4", 6" EPI的缺陷檢測(cè)

    產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

    超高速無(wú)損檢測(cè)

    優(yōu)異的再現(xiàn)性和穩(wěn)定性

    亞微米級(jí)分辨率

    典型的檢測(cè)結(jié)果

    相同位置MicroLED芯片PL vs AOI

    PL發(fā)現(xiàn)中間芯片發(fā)光異常                      AOI觀察圖像均正常       

    發(fā)光亮度分布

通過(guò)PL亮度可以卡控發(fā)光異常的芯片

    （如上wafer存在較多暗點(diǎn)聚集區(qū)域）

    發(fā)光波長(zhǎng)分布

    通過(guò)PL波長(zhǎng)檢測(cè)可以為區(qū)域分BIN提供支撐數(shù)據(jù)

    （如上wafer以2.5nm波長(zhǎng)可劃分為3塊主要區(qū)域）