6月4日，由壹倍科技自主研發的襯底/外延缺陷檢測設備α-INSPEC U1000正式交付光電行業頭部客戶。此次交付意義重大，不僅是壹倍在化合物半導體前道檢測領域的重要拓展，更是為行業客戶提供全鏈條檢測解決方案（覆蓋襯底-外延-COW晶圓制造-COC巨量轉移-Panel模組）的又一成功案例。

1. 解決產業痛點，全面助力客戶量產升級

    在MicroLED的生產制造流程中，襯底和外延是晶圓圖案化的前序工藝，屬于無圖形場景，其缺陷檢測的重要性和技術難度容易被忽視。傳統LED芯片廠中通常采用人工目檢或顯微鏡抽檢，部分雖引入AOI檢測，但精度有限，僅能檢出表面較明顯的臟污、大顆粒等缺陷。    隨著MicroLED產業邁入量產，業界對于晶圓良率和成本的要求越來越高。而大量的LED芯粒后道失效問題往往來源于最初的襯底表面缺陷或外延層生長不良。特別是隨著芯粒尺寸越來越小，甚至降至10μm以下(如AR微顯示應用)，其對于外延層缺陷的敏感度越來越高，且存在多種類型的亞表面晶體缺陷，這些缺陷采用傳統檢測手段無法檢出。     在此行業背景下，產業亟需更有效的檢測手段，從而識別出全部的致命缺陷。壹倍深知，只有結合高精度明場、暗場及光致發光等多種光學檢測手段，并借助更高效的圖像算法才能攻克這一難題。通過提高襯底/外延段缺陷的檢測能力，從而揭示材料生長階段關鍵缺陷的分布情況，再結合后道工藝數據，構建起一套更為系統、完備的器件失效傳遞機制。   

2. 技術突破、優勢明顯、定義行業新標準

    壹倍科技此次出機的設備α-INSPEC U1000可廣泛應用于化合物半導體襯底及外延片的表面和晶體缺陷檢測。該設備采用顯微光致發光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗場成像及寬光譜PL成像技術，實現透明樣品的無接觸、非破壞性和超快速的缺陷/亞表面缺陷檢出，提供不同維度檢測的缺陷Mapping、外延與器件疊圖Mapping與分區分bin良率統計結果。該產品具有以下顯著優勢：

    1）多通道并行掃描，可更全面診斷晶圓缺陷：

    自主研發核心光機，具備高精度、高靈敏度、高通量的檢測能力

    有多家海外設備數據對標基礎

    2） 兼容RGB不同材料體系檢測：

    支持不同發光波長材料GaAs、InGaN等化合物半導體材料的亞表面晶體缺陷檢測

    3） 從襯底到外延到器件，支持疊圖和數據合檔，提供更清晰的良率管理路徑：

    按照芯片進行良率分區統計，更直接反映對下游芯片影響

    支持自定義超3000萬個分區

應用于微顯示場景的2*2mm 分區統計，

4inch晶圓~1000顆

應用于直顯場景的50*50 um MicroLED分區統計，

4inch晶圓~300w顆

3. 國產替代，邁向全球市場

    過去幾年，壹倍科技陸續推出用于MicroLED行業的PL設備M1070p和AOI設備M107XA，基本覆蓋了COW晶圓制造、COC巨量轉移等關鍵環節。然而，國內針對MicroLED襯底/外延的高端缺陷檢測設備依然空白，目前國際上僅有少數廠商如美國科磊等具有相應產品，但仍缺乏專用于MicroLED場景的系統架構優化和大量實踐數據積累。本次交付的U1000向更上游的襯底/外延環節進行了延伸，代表著壹倍科技已經實現MicroLED前道全流程良率管控，為行業快速發展提供有效且完整的產品方案。

    在核心技術研發方面，壹倍科技建立了完整的自主創新體系，核心專利技術覆蓋了設備的光學系統、圖像處理算法、軟件架構等關鍵環節，目前整體自主化率已達到 90%以上。自成立以來，壹倍科技持續積極探索“技術共研+生態共建”的創新模式，憑借著在檢測設備領域的顯著優勢，已與40多家客戶完成打樣工作，業務觸角延伸至海內外120多家客戶，基本觸達了該領域所有的頭部廠商，包含LED芯片廠、巨量轉移廠、面板廠、AR微顯示模塊制造廠等，成功實現了與產業鏈的深度融合，為行業不斷帶來新的技術和產品。