基于對技術的深度耕耘和積累

    兆馳半導體

    目前已順利完成

    對車用氮化鎵垂直LED芯片的驗證

    至此，兆馳半導體順利點亮LED芯片領域最高技術，成為國內主流LED芯片廠中僅有的兩家掌握車規級垂直結構技術的企業之一，技術壁壘優勢顯著。

    01 垂直結構：LED芯片技術的“金字塔尖”

    以芯片結構作為劃分依據，LED芯片主要有三種：正裝芯片、倒裝芯片、垂直芯片。其中，正裝芯片、倒裝芯片均為水平結構LED，其P電極、N電極位于LED外延層的同一側，電流通過芯片的路徑與芯片發光面平行，故稱水平結構。

    而垂直結構最突出的特點就是P/N電極分別處在LED外延層的兩側，電流垂直通過整個芯片，徹底解決水平結構的“電流擁擠”的問題，散熱、光學、功率密度等全面領先。因此，垂直結構LED芯片成為ADB大燈、Mini尾燈等高端車載光源，以及高端顯示、工業照明等對芯片性能有著苛刻要求的高端應用場景的“芯”動之選。

    但垂直結構芯片的B面是其工藝流程的復雜性和高難度。一方面，垂直結構芯片需要將襯底剝離并替換成導熱性優異的材料，而襯底剝離技術便是垂直芯片生產過程中的一大難點。目前襯底剝離技術以激光技術為主，但該技術良率低，且容易對外延層造成熱損傷，導致外延層漏電等問題，影響芯片性能和良率。另一方面，垂直結構芯片還需要經過晶圓鍵合。這一工藝對鍵合的厚度、溫度、壓力、時間等有著嚴苛的要求，稍有不慎便容易產生孔洞、翹曲等缺陷，影響芯片的質量和可靠性。此外，垂直結構芯片的制備工藝還包括表面處理、臺面蝕刻、鈍化層沉積等。每一道工序都需要高精度的設備和嚴格的過程控制。垂直結構芯片的生產工藝可謂步步皆難關，生產合格率也較低。而達到車規級更是難上加難，目前全球范圍內掌握該技術的企業寥寥無幾，且幾乎全是國際頭部半導體公司。

    02 結構、工藝雙突破

    兆馳半導體推動垂直芯片國產化

    兆馳半導體通過芯片結構的設計優化開發出全新的垂直結構LED芯片產品，并克服晶圓鍵合和激光剝離等技術瓶頸與難題，最終成功攻克了垂直結構芯片技術難題。目前，兆馳半導體汽車用氮化鎵垂直LED芯片已完成技術驗證，并進入量產倒計時階段，成為國內主流LED芯片廠中僅有的兩家具備車規級垂直結構技術的企業之一。通過此次突破，兆馳半導體推動了車載垂直芯片的國產化進程，降低了對外部技術的依賴，還為國內LED產業鏈的升級注入了新動力。與此同時，在新能源汽車快速發展的背景下，兆馳半導體的汽車用氮化鎵垂直LED芯片將助力國產新能源汽車相關技術的提升，增強中國車企的市場競爭力，促進國內半導體產業與汽車產業的協同發展。

    03 兆馳股份：高科技轉型再落一子

    兆馳半導體成立于2017年，至今僅有8年。2018年，兆馳半導體一次性建成全球最大單體LED芯片廠房，隨后幾年間，兆馳半導體持續完善產能布局，目前以110萬片/月（按4吋片算）的產能規模領跑LED芯片企業。此次完成汽車用氮化鎵垂直LED芯片的技術認證，意味著兆馳半導體正式完成從產能領先轉向技術領先的躍遷。同時，通過實現車規垂直結構芯片從無到有的重大突破，兆馳半導體進一步擴寬了公司在高端市場上的布局。而對于兆馳股份而言，兆馳半導體在高端技術領域的突破同樣意義非凡。近年來，兆馳股份聚焦轉型，一方面以技術創新推動產業的橫向延伸，建立以光技術為根業務的產業集群，現已形成智慧顯示、LED產業、光通信產業三大業務主體；另一方面又以技術升級促進各項業務向高端化發展，以進入更多應用場景。兆馳半導體作為兆馳股份根業務子公司，其在高端技術領域的突破，正是兆馳股份持續轉型、升級的縮影，推動著兆馳股份在高科技道路上再上一個臺階。未來，兆馳股份將繼續加大投入，以技術創新為驅動，不斷拓展市場邊界，為全球客戶提供更優質的產品與服務，持續鞏固在高科技行業的領先地位。