對于整個LED產業而言，小間距LED市場已經成為“最主要的產能消耗點”。但是，這種趨勢在2018年有可能迎來一些變化。這就是MINI-LED技術的問世。

    業內廠商將采用MINI-LED技術的COB小間距LED產品稱為“第三代小間距LED”產品。此前，小間距LED市場份額第一的利亞德已經表示，有意愿推出MINI-LED技術的產品。有媒體報道，三星可能在2018年1月份的ces展會展出MINI-LED產品。預計2018年，會有首批MiNI-LED技術的COB小間距LED產品問世。2018年底到2019年，小間距LED市場將有很大可能迎來“表貼產品”、“COB產品”和“MINI-LED”產品“三代同堂”的時刻。

    什么是MINI-LED技術呢？即采用50-200微米的LED晶體的LED技術。與Micro LED（1-10微米的LED晶體）比較，MINI-LED技術難度更低，容易實現量產，且可以大量開發液晶顯示背光源市場，產品經濟性更佳。

    2018年MINI-LED會首先在液晶背光源領域得到應用。MINI-LED在背光源產品上采用芯片級封裝結構，支持更為超薄的液晶顯示器設計，以及更多分區的HDR畫質精確背光調整。通過在液晶背光源市場的應用，MINI-LED產品可以積累技術能力、產業規模，這將有利于其在小間距LED市場以比較成熟和低成本的面目出現。

    同時，與傳統小間距LED產品采用的亞毫米（500微米上下）級別LED晶體比較，MINI-LED又具有節約襯底材料成本、改善畫面像素顆�；�顯示缺陷、提高低亮度灰度顯示效果等優勢。

    以襯底消耗量看，100微米尺寸的LED晶體，與500微米的比較，襯底消耗前者只是后者的4%。這有利于在有限的LED上游產能下，制造更多的終端LED顯示產品，也有利于降低LED顯示屏中上游材料成本占比。尤其是對于室內小間距LED顯示屏而言，MINI-LED更是與其需要的更低的像素亮度、更高的像素密度、更好的低亮度灰度效果相吻合——傳統亞毫米級別的LED晶體，發光亮度往往超過實際所需很多，這是傳統小間距LED屏產品的“一大浪費”。

    整體上，從最終產品技術特性角度講，MINI-LED幾乎是為室內小間距LED應用“標配研發”的技術。但是，MINI-LED的真正落地，也有其要跨過的難關。

    首先，更小的晶體顆粒必須與芯片級的封裝相結合，這就是COB技術，才能更好的發揮其性能優勢。而COB技術的小間距led產品尚沒有實現大規模的普及。其次，MINI-LED面臨一項叫做“巨量轉移”的工程技術難題。即一張6英寸的襯底，能夠制作100微米的LED晶體達到165萬顆，如何將這么多的晶體按照顯示需求，轉移到驅動電路板上，是一件困難的工作。實際上，業內提出mini-led的概念，而不是一步到位發展Micro LED，就是為了降低“巨量轉移”的難度。

    但是，有技術難度不意味著mini-led不會到來：實際上，2016年索尼就已經推出了這類的產品，三星、蘋果、友達、三安等國際巨頭亦在此技術上有長期研發。2018年mini-led進入市場是行業的共識。唯一的問題是mini-led能夠以怎樣的成本控制力占據多大的市場份額而已。所以，2018年更可能是mini-led的“技術引導年”，而非“市場收獲年”。