應用材料顯示事業部（AKT）在日本橫濱的2012年國際平板顯示器展(FPDI2012)現場，通過視頻會議系統向北京媒體宣布，推出分別采用低溫多晶硅（LTPS）和金屬氧化物材料的PXPECVD（等離子體增強型化學氣相沉積）和PiVotPVD（物理氣相沉積）薄膜沉積系統。

    這兩個系統主要應用于超高分辨率電視及移動設備高像素密度的8.5代LCD和OLED屏玻璃基板制造。

    應用材料AKT的CVD產品營銷執行總監肖勁松表示，PXPECVD系統包含3個平臺：針對5代基板的15KPXPECVD，基板尺寸為1200x1300mm；6代基板的25KPXPECVD，基板尺寸為1500x1800mm；8.5代基板的55KPXPECVD，基板尺寸為2200x2500mm。上述三類基板厚度均為0.5~0.7mm。

    PXPECVD的主要特點有：可滿足LTPS薄膜晶體管430℃的工藝溫度（非晶硅薄膜晶體管350℃）；在1.6~5.7m2玻璃基板上沉積出的薄膜厚度均勻性<5%（非晶硅薄膜晶體管為10~15%）；薄膜性能分布更嚴格；每個系統平臺可放5個工藝腔，生產效率為每小時65塊基板。工藝控制過程如圖1所示。

    應用材料AKTPVD產品總經理JohnBusch表示，對基于金屬氧化物的薄膜晶體管，PiVotPVD系統采用旋轉陰極專利技術，沉積具有高電子遷移率的銦鎵鋅氧化物（IGZO），以形成晶體管通道；消除了顯示背板的霧化效應；所用的圓柱形靶材含雜質低（良率更高），沉積速率快，利用率提升了3倍，還可減少顆粒，實現自我清潔，使用80%后仍很干凈；獨特的磁鐵運行模式使各膜層可在相對靜止的狀態下均勻沉積；氣體輸配、靶材侵蝕及陣列設計確保了薄膜晶體管的一致性（見圖2）。

圖1AKTLTPS的工藝控制過程

圖2PiVotPVD系統可確保薄膜晶體管的一致性

    肖勁松還指出，實際上，顯示制造商在利用金屬氧化物技術時，成本會比用傳統技術上升20~30%；用LTPS技術時，成本會上升40~60%。但是，高電子遷移率會提升產品的整體經濟效益。此外，傳統方式的產品良率較低，而對于高像素、高清晰的顯示產品，傳統的非晶硅技術無法實現，只能采用LTPS或金屬氧化物技術。通過霧性均勻性和顆粒性控制，可提高良率。

    應用材料AKT稱，目前已收到部分顯示制造商對上述2類4種產品的訂單。