日本大阪大學(xué)研究生院理學(xué)研究系化學(xué)專業(yè)副教授竹谷純一的研究小組采用涂布法制成了載流子遷移率高達(dá)5cm2/Vs的有機(jī)薄膜晶體管（TFT）。該大學(xué)在“nano tech 2010（國際納米科技綜合展）”（2月17日～19日）的日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）展區(qū)內(nèi)，展示了這一成果。

　　大阪大學(xué)發(fā)現(xiàn)在硅底板上設(shè)置具有長方形截面的結(jié)構(gòu)物時(shí)，滴落的有機(jī)液體會(huì)以結(jié)構(gòu)物的截面為基點(diǎn)（生長核），朝著遠(yuǎn)離截面的方向均勻固化的現(xiàn)象。大阪大學(xué)表示，利用這一現(xiàn)象，“能夠?qū)崿F(xiàn)使用以往的生長核位置隨機(jī)確定的涂布法難以實(shí)現(xiàn)的高品質(zhì)有機(jī)單晶體”。

　　大阪采用這種方法，制成了柵極長為100μm的有機(jī)TFT。這種TFT具有p型傳導(dǎo)特性，載流子遷移率為5cm2/Vs，開關(guān)比為105。只采用涂布法形成了通道，電極等則采用普通的氣相法形成。通道材料中使用了將BTBT（Benzothieno Benzothiophene）溶入庚烷（Heptane）的有機(jī)液體。

　　硅底板上的結(jié)構(gòu)物采用了硅切片，不過還可采用像曝光抗蝕劑一樣與TFT制造工序具有較高親和性的材料。大阪大學(xué)表示，今后將面向顯示器驅(qū)動(dòng)等用途推進(jìn)TFT的陣列化，同時(shí)“驗(yàn)證可在柔性底板上實(shí)現(xiàn)何種性能”。