突破限制降低功耗！Tri-Gate重大意義

    3D Tri-Gate工藝使用一個薄得不可思議的三維硅鰭片取代了傳統二維晶體管上的平面柵極，形象地說就是從硅基底上站了起來，這種全新設計帶來了硅芯片的重大突破。

    32nm二維晶體管設計(左)與22nm三維晶體管設計(右)

    3D Tri-Gate工藝突破了傳統二維晶體管限制

    從上面的示意圖上可以看出，硅鰭片的三個面都安排了一個柵極，其中兩側各一個、頂面一個，用于輔助電流控制，而2-D二維晶體管只在頂部有一個。這樣設計的好處之一便是可以突破傳統二維晶體管限制，從而在更小的體積內塞入更多晶體管，以設計出更高性能的產品。

    3D Tri-Gate工藝使得CPU工作在更低電壓下

    3D Tri-Gate工藝帶來的另一大好處就是可以顯著降低芯片的功耗，盡管Ivy Bridge在更小的面積增加了更多晶體管，但是它的功耗卻明顯降低，這得益于3D Tri-Gate工藝帶來的漏電率降低，閾值電壓大幅下降，晶體管可以工作在更低的電壓下，這使得22nm的Ivy Bridge相比32nm的Sandy Bridge核心電壓降低了0.2V。