日本，東京 — 索尼公司今天宣布已獨立研發出一項磁帶存儲技術，該技術使用物理濺射沉積的方法制造出擁有平滑表面的軟磁帶底層，同時還創造出具有細磁顆粒和統一結晶朝向的納米晶粒磁帶層。這一技術令索尼成功研發出全球最高存儲密度的磁帶，達到148GB/平方英寸。這一存儲能力相當于傳統主流涂層磁帶的74倍，每盤磁帶的存儲數據量達到185TB。

    索尼將于5月4日在德國德累斯頓舉行的國際磁學會議2014（Intermag2014）上，與協助測定并評估新技術記錄密度的IBM共同發布此成果。

    近年來，自然災害后數據中心、服務器等信息系統的快速修復，以及信息安全管理越發重要，各公司都在推動設立新的數據系統。此外，隨著云服務的擴大，新市場開拓中大數據的應用，大容量數據存儲媒體的市場需求不斷增長。

    現有的磁帶存儲媒體以在膠帶上涂抹磁粉的磁帶為主流，這種技術使用了大小為數十納米量級的磁性粒子，在采用線性記錄方式的LTO格式最高數據協議LTO6（非壓縮）的情況下，記錄密度約為2Gb/平方英寸，記錄容量為2.5TB（非壓縮）。

    過去，涂層型磁帶通過不斷改進磁粉的細微化技術，實現了高密度數據記錄。涂層型磁帶在生產方面具有一定優勢，但面向未來的高記錄密度需求，如何生產出更微小的磁性粒子在技術上面臨很大難題。

    索尼通過研發出一種新的真空薄膜制造技術，制造出極細膩的結晶顆粒，旨在由此創造出切實可用的新一代存儲媒體。這項新技術利用物理濺射沉積的方法（一種新的真空薄膜制造技術），在厚度僅為5微米的高分子膜上制造出多層次且朝向相同的結晶顆粒，而此前，當使用物理濺射沉積的方法向高分子膜上安置細磁顆粒時，由于軟底層表面不夠平滑，使得底層結晶顆粒的朝向不一致。這樣，上面的納米晶粒磁帶層也會產生晶體朝向不一致以及細磁顆粒大小不一的現象，令增加存儲密度無法實現。通過優化物理濺射條件和獨立開發向一種具有平滑表面的軟磁帶底層，索尼使降低晶體長度及生長方向不一致成為可能。由此制造出來的納米晶粒磁帶層上的細磁顆粒平均大小為7.7納米。如果使用一種研發中的記錄和驗證方式去評測使用了這種技術的磁帶，就會得出148GB/平方英寸的全球最高存儲密度，相當于傳統主流涂層磁帶的74倍。

    索尼將致力于推動下一代磁帶存儲媒體的商業化，并繼續研發通過濺射沉積方式制作薄膜的技術，以實現更高的記錄密度。