日前召開的ARM技術大會上，三星電子傳出消息，計劃大力推動高-K介質的32nm制程。

    今年6月，韓國三星表示自己的代工廠已經可以使用高-K/金屬柵極技術，滿足制造32nm低功耗制程的要求。三星即將成為首家符合高-k/金屬柵極技術的代工廠。

    據三星半導體公司代工業務部設計實現總裁Kuang-KuoLin透露，現在“制程和設計”都已就緒。

    他在ARM技術大會上表示“就代工廠的高-k/金屬柵極而言，我們走在前列。”

    三星也是IBM公司晶圓俱樂部的成員。據報道，該俱樂部在高-k技術研發方面正面臨困難。在簡短采訪中，Lin否認了這一報道，他說三星目前在高-k方面的努力“進展不錯”。

    Lin說，實際上三星對該工藝制程“興趣很大”，代工客戶包括蘋果、高通和賽靈思。

    路線圖的下一步是28nm制程。目前，GlobalFoundries和三星都將在2011年第一季度進入“可量產”階段。