國星光電透露，“高亮度、高對比度Micro-LED顯示器件全彩化與集成封裝研究”和“4K/8K 超高清全彩Micro-ED顯示關(guān)鍵技術(shù)研究”兩大研發(fā)項(xiàng)目進(jìn)入試產(chǎn)階段。

    “高亮度、高對比度Micro-LED顯示器件全彩化與集成封裝研究”從國家政策、社會發(fā)展等方面對大屏幕4K/8K 超高清顯示的重大需求出發(fā)，結(jié)合國內(nèi)外全彩Micro-LED 顯示屏的主要發(fā)展趨勢，突破全彩化封裝技術(shù)等產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)瓶頸，開發(fā)出滿足市場對交互性更強(qiáng)、顯示性能更好等需求的高亮度、高對比度Micro-LED 顯示器件及模組。帶動產(chǎn)業(yè)鏈上下游各行業(yè)發(fā)展，進(jìn)一步鞏固我國在顯示應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢地位。

    4K/8K 超高清全彩Micro-ED顯示關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目通過研究高密度IMDMini/Micro-LED 集成封裝技術(shù)研究、Mini/Micro-LED 顯示器件高兼容度像素剪裁制造技術(shù)研究、Micro-LED 芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)研究等技術(shù)難題，研制出高性能Mini/Micro-LED 顯示器件及顯示模組，相關(guān)技術(shù)將打破韓國三星、美國蘋果以及日本索尼等國際巨頭企業(yè)壟斷封鎖，填補(bǔ)本土高端應(yīng)用領(lǐng)域空白，實(shí)現(xiàn)4K/8K 在高清顯示領(lǐng)域高效快速發(fā)展，鞏固國星光電在顯示應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢地位。

    在芯片開發(fā)方面，國星光電表示，已經(jīng)開發(fā)出應(yīng)用于數(shù)字化車燈的萬級像素Micro LED 光源模組，在65 平方毫米的發(fā)光區(qū)域?qū)崿F(xiàn)超4 萬像素單元的高密度、高精度集成；公司開發(fā)出行業(yè)單塊尺寸最大高像素密度10 英寸AM Micro LED 全彩顯示模組，突破了巨量轉(zhuǎn)移及巨量鍵合雙重技術(shù)難題，Mini LED 背光模組全年實(shí)現(xiàn)營收翻番、輕薄顯示模組市場推廣取得突破性進(jìn)展、

    值得一提的是，產(chǎn)業(yè)布局持續(xù)優(yōu)化。公司吉利產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目首批超高清Mini&Micro LED 顯示擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能新增超20%；“百千萬工程”高州LED 高端模組產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)快速投產(chǎn)，有效促進(jìn)了區(qū)域經(jīng)濟(jì)協(xié)調(diào)發(fā)展。2024年，公司輕薄顯示模組線、光耦高附加值產(chǎn)品線、集成封測技改等新項(xiàng)目陸續(xù)達(dá)產(chǎn)，設(shè)備“以舊換新”累計(jì)投入達(dá)1.6 億元，生產(chǎn)效率大幅提升，進(jìn)一步鞏固了關(guān)鍵細(xì)分賽道優(yōu)勢，培育了新的業(yè)績增長點(diǎn)。

    國星光電表示，2025年將圍繞Micro&Mini LED、第三代半導(dǎo)體先進(jìn)封測、高清顯示、車載光應(yīng)用、光電傳感等領(lǐng)域，集中力量突破技術(shù)瓶頸，搶占行業(yè)技術(shù)高地。同時，加速新產(chǎn)品研發(fā)量產(chǎn)進(jìn)程，加快GOB 顯示面板、車用HUD 大功率器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，推動顯示模組向智慧顯控升級，以及光電傳感向工業(yè)領(lǐng)域拓展。通過創(chuàng)新產(chǎn)品驅(qū)動產(chǎn)業(yè)升級。加快技術(shù)創(chuàng)新的經(jīng)濟(jì)效益轉(zhuǎn)化，提升產(chǎn)品在市場競爭力，以技術(shù)紅利進(jìn)一步拓展市場份額。