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以GaN-on-GaN打SiC!這家公司擬收購世界500強企業的GaN襯底業務

來源:化合物半導體市場 更新日期:2022-01-29 作者:佚名

    據外媒報道,韓國GaN外延材料開發商IVWorks收購了法國材料專業生產商圣戈班集團(Saint-Gobain)的GaN襯底業務,計劃在高功率應用領域供應GaN-on-GaN外延片,對打SiC材料,搶攻電動汽車市場。

    資料顯示,IVWorks成立于2011年,總部位于韓國大田市,主要生產應用于射頻及功率電子市場的GaN-on-Si/SiC外延片。

    IVWorks自稱是韓國唯 一一家成功量產4/6/8英寸GaN外延片的半導體材料專業廠商,并自主開發了全球首款結合人工智能生產系統的外延生產技術。不僅如此,該公司最近還在韓國首次安裝了12英寸生產設備。

    據化合物半導體市場了解,IVWorks主要采用混合式MBE技術(Hybrid-MBE)生產高質量GaN外延片。2020年8月,IVWorks與全球MBE(分子束磊晶技術)巨頭英特磊IET-KY達成合作,共同開發基于MBE技術的GaN外延片,瞄準全球射頻和電力器件市場。

    Saint-Gobain成立于1665年,總部位于法國巴黎,是世界500強企業之一,主營業務是設計、生產及分銷材料,服務于建筑、汽車、工業、航空、健康、防御、安全及飲食等諸多市場。

    IVWorks的CEO Young-Kyun Noh表示,GaN功率器件在能效方面的優勢明顯,在各種電子產品中發揮著越來越來重要的作用,其中,電動汽車應用市場作為新興應用領域,已發現GaN材料的應用潛力,并開始高度關注。

    IVWorks進一步指出,GaN外延片主要用于生產快速充電器、電動車功率轉換器、國防雷達等的功率器件,其通常在硅或SiC襯底上生長,而垂直結構GaN器件在電動車動力系統等高功率器件中有著很大的需求。

    IVWorks認為,法國Saint-Gobain及住友和三菱等日本企業正在引領GaN襯底技術發展,通過收購Saint-Gobain的GaN襯底業務,IVWorks將掌握4/6英寸GaN襯底量產技術。

    同時,公司將擴大產品組合,向高功率應用領域供應GaN-on-GaN外延片,并在電動汽車市場迎戰SiC材料。

 標簽:LED上游 財經新聞
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