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國產(chǎn)首臺量產(chǎn)Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設備進駐辰顯光電

來源:CINNO 更新日期:2021-12-24 作者:佚名

    2021年11月10日,由大族激光顯視與半導體自主研發(fā)生產(chǎn)的國產(chǎn)首臺量產(chǎn)Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設備進駐客戶現(xiàn)場,標志著國產(chǎn)第一臺Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設備正式拉開生產(chǎn)序幕。

設備搬入現(xiàn)場

    在客戶領導和全體工作人員的見證下,Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設備起吊,順利送入相應吊裝口。

生產(chǎn)設備吊裝現(xiàn)場

轉(zhuǎn)移效果圖

    此臺國產(chǎn)首臺量產(chǎn)Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設備的順利搬入,標志著大族顯視與半導體在新型顯示Micro LED產(chǎn)業(yè)的技術研究和裝備生產(chǎn)取得了又一關鍵性的突破,也標志著國產(chǎn)激光裝備的又一重大突破。

    行業(yè)發(fā)展,裝備先行。大族顯視與半導體一直走在LED顯示行業(yè)裝備的前沿,從2019年開始致力于攻克Micro LED激光相關加工工藝難題,推進Micro LED產(chǎn)業(yè)化進程。

    從2020年起,大族顯視與半導體陸續(xù)在Micro LED產(chǎn)業(yè)多項關鍵技術上取得重要突破,現(xiàn)已初步形成一系列自主創(chuàng)新的關鍵工藝技術方案,如激光剝離、激光修復、激光巨量轉(zhuǎn)移、激光巨量焊接和玻璃拼接等整套解決方案,并具備相關設備量產(chǎn)能力。從技術研究和裝備應用領域豐富和完善了公司在Micro LED產(chǎn)業(yè)的布局,為Micro LED產(chǎn)業(yè)提供專業(yè)解決方案。

大族顯視與半導體在Micro LED產(chǎn)業(yè)布局圖

    Micro LED激光剝離

    該技術可實現(xiàn)從藍寶石襯底上的特定位置,或是整面剝離氮化鎵、膠材等材料,具備行業(yè)領先性。剝離工藝效果穩(wěn)定,加工良率高,剝離良率可達99.9%以上。可實現(xiàn)最小尺寸10um,間距10um的芯片加工。基于自動CCD校正,可滿足對不同規(guī)格產(chǎn)品精準識別定位, 配備超高精度運動平臺,全閉環(huán)控制,有效提高系統(tǒng)單位時間內(nèi)的產(chǎn)能, 并且具備激光剝離加工后蓋板與轉(zhuǎn)移基板自動分離功能。該款設備已實現(xiàn)量產(chǎn)。

    Micro LED激光修復

    激光修復設備可以在Micro LED的制造過程中篩選出有缺陷的芯片并進行修復,是Micro LED制程中的關鍵設備。此款激光修復設備可以讀取AOI檢測數(shù)據(jù),實現(xiàn)對任意位置的不良芯片進行修復。 修復效率高,Wafer/donor基板上MicroLED芯片去除的效率為2kk/h;Substrate基板上MicroLED芯片去除的效率為1k/h;Donor/substrate基板上MicroLED芯片轉(zhuǎn)移修復的效率達到2kk/h。

    Micro LED激光巨量轉(zhuǎn)移

    此款設備為國產(chǎn)首臺量產(chǎn)Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設備,采用激光轉(zhuǎn)移技術,利用特殊整形后的方形光斑,結合高速振鏡掃描,可以實現(xiàn)高速加工,將芯片逐一轉(zhuǎn)移到下層基板(玻璃或者膜材)上。轉(zhuǎn)移效果良好,轉(zhuǎn)移過程對芯片無損傷。擁有高精度對位系統(tǒng),Micro LED轉(zhuǎn)移落點精準,位置精度達到±1.5um,轉(zhuǎn)移效率可達2kk/h—100kk/h。

    Micro LED激光巨量焊接

    此款設備通過整形光斑可實現(xiàn)對加溫區(qū)域的精準控制,避免整版全部加熱產(chǎn)生較大的熱應力,可以實現(xiàn)溫度實時反饋,對溫度進行精準控制。采用高精度的對位系統(tǒng),可以實現(xiàn)對位精度±1.5um,效率高,且焊點質(zhì)量好,無曲翹。

    玻璃拼接

    Micro LED大尺寸屏幕通常是由許多個窄邊框的小尺寸屏幕拼接而成,因而可以制作任意尺寸大小的大屏幕。要實現(xiàn)大屏拼接,需要制作高質(zhì)量的小尺寸屏幕。在制作的過程中,許多流程需要激光來完成。大族顯視與半導體結合自主研發(fā)的ICICLES等工藝技術,自主開發(fā)出了一套集玻璃基板切割、線路刻蝕、保護膜層切割等需求的大屏拼接技術方案。此款設備采用紫外皮秒激光刻蝕線路圖案,無刻蝕殘留。大族顯視與半導體已經(jīng)量產(chǎn)設備的線寬精度和拼接精度可達±5um,正在開發(fā)線寬精度和拼接精度可達±3um精度的設備。

    大族顯視與半導體已經(jīng)可以為客戶提供一整套Micro LED研發(fā)、測試、量產(chǎn)的激光解決方案。未來,大族顯視與半導體將持續(xù)堅持自主創(chuàng)新發(fā)展理念,全力攻克Micro LED產(chǎn)業(yè)技術難題,加快推動Micro LED產(chǎn)業(yè)化進程,助力國家新型顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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