日前，東莞阿爾泰顯示技術有限公司 與北京大學、清華大學等院校共同開展的“新一代發(fā)光器件的應用研究”——《基于范德華外延—剝離轉印的半導體器件制作新方法》通過科技部高技術研究發(fā)展中心立項評審，正式列入國家重點研發(fā)計劃 “變革性技術關鍵科學問題”重點專項，成為全國三十項國家重點研發(fā)計劃之一，且是一項屬于顯示材料領域的研發(fā)專項 。

    AET阿爾泰再向Mini/Micro LED材料科研出發(fā)，助力國家重點研發(fā)計劃專項開展 ，推進Mini/Micro LED顯示發(fā)光材料的量產(chǎn)化發(fā)展!

    《基于范德華外延—剝離轉印的半導體器件制作新方法》由北京大學、清華大學、西安電子科技大學、東北師范大學、松山湖材料實驗室和AET阿爾泰聯(lián)合開展，匯集了骨干研究力量。團隊依托1個國家重點實驗室、1個國家研究中心、1個國家工程研究中心、2個“2011” 協(xié)同創(chuàng)新中心和1個教育部前沿科學中心，研究基礎和研究條件雄厚。

    本項目圍繞關鍵科學問題，研究大尺寸二維晶體過渡層上半導體薄膜的弱耦合生長機理，半導體外延層的剝離轉印技術及器件制作方法。突破現(xiàn)有襯底對寬禁帶和超寬禁帶半導體器件性能的限制，實現(xiàn)不依賴外延關系的襯底選擇，革新藍綠光Micro-LED、大功率射頻器件和日盲紫外探測器等半導體器件制作技術，為新一代電子信息系統(tǒng)的發(fā)展奠定科學基礎。

    目前，項目單位已開展初期研究，利用范德華外延技術實現(xiàn)氮化物單晶薄膜和LED結構的制備。

    項目所取得的研究成果有助于實現(xiàn)顛覆性的技術創(chuàng)新和應用 ，建立我國在寬禁帶/超寬禁帶半導體范德華外延/新型光電/電子器件基礎研究與應用探索領域的知識產(chǎn)權保護體系，確立我國在二維材料、寬禁帶半導體等核心材料領域在國際上的技術優(yōu)勢，在一定程度上可填補上述領域的技術空白 。

    未來，AET阿爾泰將會盡心竭力助力Mini/Micro LED前沿科學的多項創(chuàng)新性研發(fā)合作項目開展，從前端材料的角度解決Mini/Micro LED的“卡脖子”問題，深度融合產(chǎn)學研技術創(chuàng)新體系，不斷提高核心競爭力，共同推進Mini/Micro LED的普及應用、可持續(xù)發(fā)展與創(chuàng)新性突破。