法國原子能委員會電子與信息技術實驗室（CEA-Leti）的研究人員開發(fā)出一種新工藝來生產高性能氮化鎵（GaN）micro-LED顯示器，研究人員稱這種顯示器比現有方法更簡單，更有效。

    新工藝的第一步是將micro-LED芯片直接轉移到CMOS晶圓的頂部。第二步，由CMOS驅動電路和micro-LED芯片制成的每個完整的“像素”被傳送到顯示基板。

    研究人員表示，這項新技術可用于制造各類micro-LED顯示器，從小型可穿戴顯示器到大型電視面板，因為CMOS驅動器具有高性能。單個LED-CMOS單元采用全半導體晶圓級方法制備，終端顯示器不需要使用薄膜晶體管（TFT），這是當前工藝的另一個優(yōu)勢。