荷蘭Holst Center研究人員采用空間原子層沉積（sALD）技術，在薄膜晶體管（TFT）氧化物-TFT（IGZO）顯示器背板上同時創建半導體層和介電層。

    研究人員在薄的PEN箔上創建了200 PPI的QVGA OLED顯示器原型。這展示了如何在廉價的透明塑料箔片上使用sALD在低溫工藝（低于200攝氏度）下生產TFT。TFT的遷移率達到8 cm2/V2，通道長度降至1μm。

    sALD設備由Holst Center開發，并由從Holst衍生出來的初創公司SALDtech進行商業化。 SALDtech當前提供1代（320x250 mm）工具，目前正在開發生產設備。