據報道，近來氧化物TFT制程技術逐漸受到關注，研究機構DIGITIMES Research指出，韓國面板大廠三星以及日本夏普都在加快氧化物TFT量產進程，預計2011年下半年到2012年，三星將會將氧化物TFT技術運用于3D電視面板，夏普則優先在平板裝置與智能手機面板上運用氧化物TFT技術。

    氧化物TFT即Oxide TFT技術，主要是將原本應用于a-Si TFT的硅材料部分置換成a-IGZO（amorphous Indium Gallium Zinc Oxide, 銦鎵鋅氧化物）來形成TFT，其優勢在于光罩制程數少，成本較低溫多晶硅LTPS制程低，并且TFT基板表面平整度佳，適用于5代線以上的大尺寸基板生產。

    氧化物TFT技術最早由日本細野秀雄教授于1995年首次發表，2004年則由細野秀雄教授帶領的日本東京大學研究團隊發表了采用IGZO薄膜制作的TFT元件。隨后，南韓、日本與臺灣相關廠商也自2006年起陸續發表采氧化物半導體的試制品。

    DIGITIMES Research指出，與非晶硅（a-Si）TFT相較，Oxide TFT不僅電子移動度較高，并且在TFT一致性、制造成本與制程溫度，亦均與非晶硅TFT同水準，因此，很有機會成為新世代TFT制程技術。

    從全球各大面板廠在氧化物TFT技術發展動向來看，氧化物TFT制程技術正逐漸在許多應用范疇擴散，包括AMOLED、3D面板、可撓式顯示器、透明顯示器、超大尺寸電視／數位資訊顯示器等應用領域。