前面我們已經(jīng)提到，SED通過(guò)碳納米間隙中的隧道效應(yīng)產(chǎn)生電流，然后利用陽(yáng)極和陰極之間的電場(chǎng)改變電子的運(yùn)動(dòng)軌跡。我們知道，閃存也是利用隧道效應(yīng)進(jìn)行數(shù)據(jù)存取的，由于其充放電過(guò)程會(huì)導(dǎo)致浮置柵極介質(zhì)的氧化降解，因此NAND型閃存的讀寫壽命為100萬(wàn)次左右，而NOR型閃存因?yàn)橥ㄟ^(guò)熱電子注入方式寫入數(shù)據(jù)，壽命更短，只有10萬(wàn)次。SED中的亞微米間隙在放電瞬間是否會(huì)產(chǎn)生電火花，從而導(dǎo)致介質(zhì)氧化降解，從而縮短SED面板的壽命呢？這是最讓人放心不下的地方。

    為了延長(zhǎng)電子源壽命，佳能的工程師們?cè)赟ED在介質(zhì)材料的選擇上可謂挖空心思，甚至將白金（鉑，Pt）都給用上了。讓我們看看圖3，這是SED面板單一像素的剖面圖。SED像素中的電極材料是鉑，而碳納米間隙兩端的材料則是鈀。鉑在1800℃的高溫下也不會(huì)氧化，鋼鐵廠、玻璃廠常用它作為熱電偶套管或輔助加熱電極。碳納米間隙是利用氧化鈀（PdO）分解得到的。作為一種性能非常穩(wěn)定的導(dǎo)電材料，氧化鈀常被用作厚膜電阻中的導(dǎo)電相，溫度超過(guò)820℃時(shí)，氧化鈀分解為金屬鈀。碳納米間隙正是利用了氧化鈀的這種特性，以電脈沖形成的熱量加工出來(lái)的。加工過(guò)程中氧化鈀被分解為金屬鈀，冷卻后因收縮而產(chǎn)生裂隙，形成放電間隙。

    特殊的制作工藝，加上性能穩(wěn)定的材料，保證了常溫下SED面板的工作穩(wěn)定性（間隙壽命大約為60,000小時(shí)）。