韓國三星電子（Samsung Electronics）開發出了使用單晶硅TFT的2.4英寸QVGA主動矩陣型有機EL面板，并在“SID 2007”上發表了制造技術的詳細情況。提高主動矩陣型有機EL面板的亮度需要加大發光材料中通過的電流。為此，需要采用提高TFT所用半導體層的結晶性以及TFT載流子遷移率的技術。此前，使用低溫多晶硅的情況較多，而使用單晶硅尚無先例。

　　三星開發的面板為240×320像素，亮度為350cd/m2，對比度為1萬比1。像素間隔為51μm×153μm，像素電路由2個TFT和1個電容器組成。TFT的載流子遷移率為p通道90cm2/Vs、n通道120cm2/Vs，與其它有機EL用TFT相比，非常高。目前，該公司還在利用此次開發的制造方法試制1.9英寸TFT液晶面板。

　　在此之前，單晶硅TFT的使用尚無先例，其原因是單晶硅在制造面板的玻璃底板上成膜非常困難。在此次開發中，三星使用了美國康寧（Corning）開發的向玻璃底板轉印單晶硅的技術“SiOG”。該技術首先要向單晶硅晶圓表面之下較淺的部位注入氫離子。然后把晶圓粘貼到康寧制造的“EAGLE”玻璃底板上，在從粘貼后的底板的內外兩側施加電壓的同時進行熱處理。這樣，在氫離子轉變為氫分子的同時，進行了離子注入的部分的結晶會受到損傷，取下晶圓時，單晶硅膜能夠殘留在晶圓表面。三星表示，“用粘貼方式制造的TFT粘著性良好，可靠性方面也無需擔心”。另外，此次的方法還可用于大型面板用底板，應用范圍最少可涵蓋至第4代底板

圖1：開發的單晶硅和有機EL面板的規格

圖2：單晶硅膜轉印方法 

圖3：TFT特性